Hétérostructures de matériaux

Site Thales

Mission
QUI SOMMES-NOUS ?

Situé sur le campus de l’École polytechnique, au coeur du pôle scientifique et technologique d’envergure mondiale de Paris-Saclay, le site de Palaiseau regroupe les activités de Thales Research & Technology (TRT), le centre de recherche du Groupe, et de ThereSIS (THALES European REsearch center for Security & Information Systems) au service des activités mondiales du Groupe. Grâce à une politique de partenariat proactive avec le monde académique et un réseau international d’entreprises innovantes, nos équipes de recherche de TRT développent des technologies de rupture et celles de ThereSIS sont dédiées à la sécurisation des systèmes d’information, à l’ingénierie des systèmes complexes et aux technologies innovantes de la transformation numérique afin d’obtenir rapidement des résultats répondant à des demandes opérationnelles concrètes.

Dans ce cadre nous recherchons un.e :
Stagiaire en Hétérostructures de matériaux 2D pour les spin-valves verticales (H/F) pour une durée de 3 mois
Basé.e à Palaiseau (91)

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

La spintronique est un paradigme axé sur le spin comme vecteur d’information qui vise à fournir des architectures plus complexes et une solution puissante au-delà du CMOS, du stockage aux informations neuromorphiques ou quantiques. Son exemple type est constitué de dispositifs non volatils rapides et à très faible consommation d’énergie, comme la nouvelle mémoire MRAM (Magnetic Radom Access Memory) à transfert de spin et à couple.
La découverte récente du graphène et d’autres matériaux 2D tels que le nitrure de bore hexagonal (h-BN) ou les dichalcogénures (MoS2, WS2…) a ouvert de nouvelles possibilités intéressantes en termes de fonctionnalités et de performances pour les dispositifs spintroniques.

Bien que très récente, l’introduction de matériaux 2D tels que le graphène et l’isolant 2D h-BN dans les valves de spin verticales des jonctions de tunnel magnétique (MTJ) a déjà montré certaines propriétés prometteuses. Il a été démontré qu’une seule couche de ces matériaux 2D pouvait être utilisée comme un filtre à spin très efficace pour sélectionner les spins par effet tunnel quantique.
Il a également été démontré que les effets d’hybridation d’interface orbitale sélective du matériau 2D avec l’électrode magnétique pourraient même conduire à une transition isolant-métal. Ainsi, il a été démontré que le h-BN 2D isolant devient un métal à spin polarisé.

L’apparition de nouvelles familles de semi-conducteurs 2D (comme le phosphore noir ou les TMDC…) avec des écarts et une structure de bande variables a donc ouvert de nouvelles possibilités d’adapter davantage les propriétés spintroniques. Il a été récemment démontré, en utilisant le semi-conducteur 2D WS2, peu étudié, qu’un filtrage de spin à structure de bande pouvait se produire et être adapté, avec une inversion du signe du RM, par un filtrage de symétrie dépendant de la couche d’espace k.
Ces résultats ouvrent la voie à l’intégration de différents membres des très grandes familles de semi-conducteurs 2D, TMDC et au-delà, afin de révéler leurs propriétés de transport de spin dans les MTJ.

Les missions et l’objectif du stage :

L’objectif du stage sera de développer davantage cette propriété de filtrage de spin avec des caractérisations pas à pas à l’appui (spectroscopie Raman, photoluminescence, AFM, transport de spin…). La fabrication et les essais seront effectués en ciblant les hétérostructures MTJ verticales reposant sur des semi-conducteurs 2D avec un accent particulier sur le développement d’une technique de captage.

L’élaboration et à la caractérisation d’un dispositif,
Croissance des hétérostructures par la pulvérisation/évaporation,
Dépôt de couches atomiques à la fabrication par lithographie laser/UV en salle blanche,
Etudes de transport dépendant du spin avec caractérisation électrique du dispositif dans un cryostat.

Innovation, passion, ambition : rejoignez Thales et créez le monde de demain, dès aujourd’hui.

Rémunération de stage: De 1000.0 à 1330.0 EUR par mois

Profil
QUI ETES-VOUS ?

Vous êtes actuellement en dernière année d’école ingénieur (M2) ?

Vous maîtrisez le français et l’anglais, aussi bien à l’oral qu’à l’écrit ?

Vous êtes à la recherche d’un stage de fin d’études ?

Niveau(x) d’études
Bac +5 et plus

Durée
De 3 à 6 mois

Pour postuler à ce poste veuillez visiter thales.contactrh.com.

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